吸热隔热复合粉
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吸热隔热复合粉哪里好
技术参数
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产品技术支持 |
型号 |
平均粒径（nm） |
纯度（%） |
比表面积（m2/g） 吸热隔热复合粉哪里好 |
体积密度（g/cm3） |
PH |
颜色 |
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与高校合作开发 |
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ATO |
CW-ATO-001 |
40 吸热隔热复合粉哪里好 |
>99.95 |
70 |
0.85 |
5-6 |
蓝色 |
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ITO |
CW-ITO-001 吸热隔热复合粉哪里好 |
30 |
>99.99 |
82 |
0.60 |
5-8 |
淡黄色 |
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SnO2 吸热隔热复合粉哪里好 |
CW-SnO2-001 |
30 |
>99.99 |
80 |
0.63 |
3-12 |
白色 吸热隔热复合粉哪里好 |
主要特点
通过可变电流激光离子束气相法制备的ATO、ITO、SnO2 纳米超细粉体，产品纯度高，松装密度低（比国内同类产品低40%），很容易分散成稳定的纳米浆料，大大降低了ATO纳米粉体的分散难度，提高了分散效率，极大改善了纳米浆料的可见光透过率、薄膜的表面均匀性。ATO（Antimony Tin Oxide）纳米超微粒子粉体带有半导体领域中的非电阻的透明导电性，可应用于玻璃，各种塑料等中起到防静电及要求透明导电性的领域中应用。导电性：均匀分散的导电纳米超微粒子的相互作用形成导电膜，导电膜中电荷移动可实现高高透射率和防静电（106-1012Ω）透明性：ATO纳米超微粒子对可视光（400nm-800nm）的吸收率极弱，而且对可视光难以散射的大小粒子组成，所以有着透明性。耐久性：化学性稳定的纳米超微粒子金属氧化物粉末组成，对热，湿度等外部环境引起的物性变化小，所以能保持半永久性导电性质。纳米ITO粉具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外线IR和静电屏蔽涂料及防伪墨水等。ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形.其中透过率以达90%以上,ITO中其透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制,通常Sn2O3:In2O3=1:9
应用领域
ATO粉是一种多功能导电材料，它具有高导电性，浅色透明性，耐侯性，抗辐射性等众多优良特性，主要用于抗静电塑料、涂料、纤维，显示器用防辐射涂层，建筑用节能视窗，太阳能电池，汽车风挡等；
ATO中文名为氧化锡锑，可作优良隔热粉、导电粉（抗静电粉）使用。其良好隔热性能，被广泛的应用于涂料、化纤、高分子膜等领域；
此外作为导电材料，在分散性、耐活性、热塑性、耐磨性、安全性上有着其他导电材料（如石墨、表面活性剂、金属粉等）无法比拟的优势。被应用于光电显示器件、透明电极、太阳能电池、液晶显示、催化等方面。ATO（锑掺杂的二氧化锡）是一类新型浅色透明导电粉。它利用 或 （锑）掺杂取代 （锡）形成缺陷固融体时所形成的氧空位或电子作为载流子导电的，其导电性不受环境干湿度的影响，避免了有机抗静电剂对环境依赖性的缺点。
技术支持
公司可以提供ATO、ITO在隔热涂料、导电材料中的应用技术支持，具体应用咨询请与销售部人员联系。咨询邮箱sales,cwnano.com QQ 892050749
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包装储存
本品为惰气包装，应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。
产品资料、技术咨询、索样：
联系人：李经理（Mr.Li）
电话：13918946092 021-69898246
微信：13918946092 QQ1752423251
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上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展字号
近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件，如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中，纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收，而其中的电子（空穴）迁移率等也逐渐接近甚至高于相应体材料的最佳值；相对而言，载流子寿命尤其是少子寿命已经成为限制纳米线光电器件性能进一步提升的关键参数。与此同时，功能性的n型或p型掺杂是实现纳米线电子、光电效能的基本条件之一，但受这类材料高比-表面积的影响，掺杂可能偏离预期的电子学目标，因此这方面微观机制的澄清将有益于纳米线走向实际应用。
中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室博士研究生夏辉等在合作导师的指导下，使用聚合物包裹的砷化镓（GaAs）纳米线，并利用基于导电原子力显微术的纳米光电子学研究平台，实现了对单根外延纳米线的测量。该实验方案相对于常用的单纳米线器件测量方法，避免了光刻、离子束观测等器件制作工艺对半导体纳米线的损伤，因而更利于考察原生纳米线的本征性质。
区别于常规薄膜和体材料，他们在GaAs纳米线中观察到了因n型掺杂带来的奇异线性光电流现象。研究人员通过建立考虑纳米线结构特征的数值模型，复现了不同掺杂条件下单纳米线的光电流-偏压曲线，并从中提取了单纳米线的少子（空穴）寿命。进一步的比较分析发现，由于表面电子态的大量存在，在相当浓度的掺杂条件下（n=-3），n型杂质释放的电子可能倾向于占据表面态，从而成为光生空穴的复合通道。
这一机制澄清了半导体纳米线中少子寿命显著低于薄膜材料体系的微观起源，并有助于纳米线表面特性的控制和掺杂纳米线光电性能的优化应用。
该项工作得到了973项目、国家自然科学基金、中国科学院国际合作团队计划的资助。相关论文发表在最近一期的ACS Nano上(6卷，6005-6013) 。